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韩国三星电子开始量产3纳米芯片

  韩国三星电子公司6月30日宣布,已开始量产3纳米芯片。

  3纳米芯片基于全环绕栅级(Gate-All-Around)技术。三星电子说,相对于其5纳米芯片,初代3纳米芯片可减少45%的能耗,提升23%的性能并减少16%的面积。全环绕栅级技术可最终减少多达50%的能耗,提升30%的性能并减少35%的面积。作为全球最大存储芯片制造商,三星电子说,其2纳米芯片仍在研发初期,计划2025年量产。

  全球最大芯片代工企业中国台湾积体电路制造股份有限公司(台积电)说,将于今年下半年开始量产3纳米芯片。卜晓明(新华社微特稿)

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